ประเภทของแรม (RAM)
ย่อมาจาก Ramdom Access Memory เป็นหน่วยความจำหลักของเครื่องมีความเร็วในการทำงานสูงแต่มีข้อเสียคือ สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ขณะที่เปิดเครื่องอยู่เท่านั้น ถ้าปิดเครื่องข้อมูลก็จะหายไป แรมแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท คือ
SRAM ทำจากทรานซิสเตอร์ กินไฟมากมีความเร็วสูง แต่เนื่องจากมีราคาแพงมาก จึงมักใช้ทำเป็นหน่วยความจำแคชสำหรับเมนบอร์ด และซีพียู
DRAM เป็นหน่วยความจำที่สร้างขึ้นโดยใช้สถานะ “มีประจุ” และ“ไม่มีประจุ” เป็นหลักในการเก็บข้อมูลซึ่งกินไปน้อยและราคาถูกกว่า SRAM จึงนิยมนำมาใช้ทำเป็นหน่วยความจำ หลักในเครื่องคอมพิวเตอร์ การทำงานของDRAM จะต้องทาการเติมประจุตามระยะเวลาที่กำหนด เพื่อไม่ให้ข้อมูลสูญหายไปเรียกว่าการ “Refresh” แรมที่ใช้เป็นหน่วยความจำหลักในคอมพิวเตอร์คือ DRAM ซึ่งมีหลายแบบ แต่ที่นิยมใช้กัน
มี 2 แบบคือ EDO DRAM และ SDRAM
EDO DRAM เป็น DRAM ที่ได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงขึ้นนิยมใช้ในเครื่องรุ่น 486, Pentium
SDRAM เนื่องจากEDO RAM ไม่สามารถทำงานได้ที่ความถี่เกินกว่า 66 MHz ดังนั้นในเครื่องที่ใช้ซีพียูรุ่นใหม่ที่ใช้ความถี่บัสเป็น 100 – 133 MHz จึงหันมาใช้ SDRAM แทน เพราะสามารถทำงานร่วมกับซีพียูได้เร็วกว่าทำให้ซีพียูไม่ต้องรอคอยการทำงานของแรมอีกต่อไปเรียกว่าภาวะ “Wait State”
ในปัจจุบันแทนที่จะบอกความเร็วของ SDRAM หรือที่เรียกกันว่า access time ว่าเป็นกี่ ns
( 1 ns = 1 / 1,000 วินาที ) กลับแสดงออกมาเป็นความเร็วของระบบบัสแทนเช่น PC – 66, PC – 100, PC – 133 หมายถึงมีความเร็วเท่ากับระบบบัส 66 , 100 และ 133 MHz ตามลำดับ
เป็นอุปกรณ์ที่ทำหน้าที่เป็นหน่วยความจำชั่วคราว โดยจะเป็นที่พักข้อมูลในการทำงานแต่ละขั้นตอน เช่น การอ่านข้อมูลจากฮาร์ดดิสก์ไปพักไว้ที่แรมก่อนที่จะแสดงผลออกทางจอภาพ หรือพักข้อมูลไว้ในการสั่งพิมพ์ออกทางเครื่องพิมพ์ หรืออาจจะใช้งานหลายโปรแกรมในเวลาเดียวกัน
ชนิดของแรม
แรมมีความจุเป็นไบท์ และมีหลายประเภทมีการพัฒนาทั้งทางด้านความเร็วหลายประเภทมีการพัฒนาทั้งทางด้านความเร็ว และความจุดังนี้
๑. DRAM เป็นแรมที่มีความเร็ว และความจุน้อยที่สุด
๒. EDO RAM พัฒนาขึ้นมาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานและการแสดงผลทางด้านกราฟฟิค และถูกออกแบบมาเพื่อใช้งานกับเครื่องระดับ Penrium ใช้กับเมนบอร์ดซ็อกเก็ต 7 โดยใช้กับช่องเสียบในแบบ SIMM ที่มีหน้าที่สัมผัสด้านเดียว จึงต้องใส่เป็นคู่
๓. SDRAM เป็นหน่วยความจำที่ทำงานเร็วกว่าและมีช่องสัญญาณ มากกว่า DRAM และ EDO RAM ออกแบบมาให้ใช้กับเมนบอร์ดที่เป็นสล็อต 1 และซ็อกเก็ต 7 บางรุ่นโดยใช้กับช่องเสียบในแบบ DIMM ที่มีหน้าสัมผัส 2 หน้า จึงใส่ที่ละแผงได้
๔. DDR SDRAM เป็นแรมที่พัฒนามาจาก SDRAM เพื่อให้มีความเร็วเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า
๕. RDRAM เป็นแรมแบบใหม่ที่มีความเร็วสูง ที่คาดว่าจะเข้ามาแทนที่ SDRAM แต่จะต้องใช้กับช่องเสียบในแบบ RIMM ด้วย
จำนวนจุดต่อของแรม ซึ่งในการผลิตครั้งแรก ๆ จะมีลักษณะเป็นขาเสียบ ต่อมาได้ยกเลิก
แล้วใช้เป็นแบบหน้าสัมผัส แต่ก็ยังเรียกเหมือนกัน
SIMM RAM จะมีจุดต่อ 30 และ 72 PIN
EDO RAM จะมีจุดต่อ 72 PIN
SDRAM จะมีจุดต่อ 168 PIN
ในปัจจุบันเมนบอร์ดจะถูกออกแบบมาให้ใช้กับ SDRAM เพียงอย่างเดียว แต่ SDRAM แต่ละรุ่นจะมีความสามารถในการทำงานไม่เท่ากัน คือ
PC66 คือ SDRAM ที่สามารถทำงานได้ถึงความเร็วสูงสุด 66 MHz.
PC100 คือ SDRAM ที่สามารถทำงานได้ถึงความเร็วสูงสุด 100 MHz.
PC133 คือ SDRAM ที่สามารถทำงานได้ถึงความเร็วสูงสุด 133 MHz
ประเภทของรอม(Rom)
หน่วยความจำประเภทนี้ ข้อมูลทั้งหมดที่อยู่ภายในจะถูกโปรแกรมมาจากโรงงานตั้งแต่ขั้นตอนการผลิตไอซี เราจะใช้ ROM ชนิดนี้ เมื่อข้อมูลนั้นไม่มีการเปลี่ยนแปลง และเหมาะสำหรับงานที่ผลิตครั้งละมากๆ ผู้ใช้ไม่สามารถ เปลี่ยนแปลงข้อมูลภายใน ROM ได้ ROM ประเภทนี้มีทั้งแบบไบโพลาร์และแบบ MOS
PROM (Programmable ROM)จากไอซี ROM แบบแรกการโปรแกรมข้อมูลจะต้องโปรแกรมมาจากโรงงาน และต้องผลิตจำนวนมากจึงจะคุ้มค่ากับต้นทุนในการผลิต อีกทั้งโรงงานผู้ผลิตไอซีจะรู้ข้อมูลที่เก็บอยู่ด้วย สำหรับระบบดิจิตอลหรือคอมพิวเตอร์ที่ผลิตออกมาจำนวนไม่มากและต้องการใช้หน่วยความจำ ROM สามารถนำหน่วยความจำ ROM มาโปรมแกรมเองได้ โดยหน่วยความจำนี้จะเรียกว่า PROM ( Programmable Read Only Memory ) หน่วยความจำประเภทนี้ เซลล์เก็บข้อมูลแต่ละเซลล์จะมีฟิวส์ ( fused ) ต่ออยู่ เป็นหน่วยความจำที่ข้อมูลที่ต้องการโปรแกรมจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เอง โดยป้อนพัลส์แรงดันสูง ( HIGH VOLTAGE PULSED ) ไอซี PROM ที่ยังไม่ถูกโปรแกรมนั้น ข้อมูลทุกเซลล์หรือทุกบิตจะมีค่าเท่ากันหมด คือ มีลอจิกเป็น 1 แต่เมื่อได้มีการโปรแกรมโดยป้อนแรงดันไฟสูงๆเข้าไปจะทำให้เซลล์บางเซลล์ฟิวส์ขาดไป ทำให้ตำแหน่งที่เซลล์นั้นต่ออยู่มีลอจิกเป็น 0 เมื่อ PROM ถูกโปรแกรมแล้ว ข้อมูลภายใน จะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก เนื่องจากฟิวส์ที่ขาดไปแล้วไม่สามารถต่อได้ หน่วยความจำชนิดนี้ จะใช้ในงานที่ใช้ความเร็วสูง ซึ่งความเร็วสูงกว่า หน่วยความจำที่โปรแกรมได้ชนิดอื่นๆ
EPROM (Erasable Programmable ROM)หน่วยความจำประเภท EPROM เป็นหน่วยความจำประเภท PROM ที่สามารถลบข้อมูลหรือโปรแกรมข้อมูลใหม่ได้ เหมาะสำหรับงานสร้างวงจรต้นแบบที่อาจต้องมีการแก้ไขโปรแกรมหรือข้อมูลใหม่ ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง ( HIGH VOLTAGE SIGNAL ) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM หน่วยความจำประเภทนี้มี 2 ประเภท คือ ประเภทที่ลบข้อมูลด้วยรังสีอัลตราไวโอเลต หรือที่เรียกกันว่า UV PROM ส่วนอีกประเภทหนึ่งเป็นหน่วยความจำที่ลบข้อมูลด้วยไฟฟ้า เรียกว่า EEPROM ย่อมาจาก Electrical Erasable PROM
หน่วยความจำประเภท UV PROM การโปรแกรมทำได้โดยการป้อนค่าแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสมเข้าไป และข้อมูลจะถูกบันทึกไว้ตลอดไป สำหรับการลบข้อมูลทำได้ด้วยการฉายแสงอัลตราไวโอเลตเข้าไปในตัว ไอซี โดยผ่านทางช่องใสที่ทำด้วยผลึกควอตซ์ที่อยู่บนตัวไอซี เมื่อฉายแสงครู่หนึ่ง ( ประมาณ 5 - 10 นาที ) ข้อมูลที่อยู่ภายในก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลาที่ฉายแสงนี้สามารถดูได้จากข้อมูลที่กำหนด ( DATA SHEET ) มากับตัว EPROM
หน่วยความจำประเภท EEPROM แม้ว่าจะลบและโปรแกรมข้อมูลได้ด้วยกระแสไฟฟ้าซึ่งสะดวกในการใช้งาน แต่ความเร็วในการอ่าน และเขียนข้อมูลจะไม่เร็วเท่าที่ควร
แหล่งที่มา
http://www.thainame.net/project/th_name/coms16.htm
http://th.wikipedia.org/wiki/%E0%B8%A3%E0%B8%AD%E0%B8%A1
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น